技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
FET機能: 論理レベルゲート
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 2.1W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 250mA（最小）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 50ミリオーム @ 4.5A、10V、60ミリオーム @ 3.8A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5.2A（Ta）、4.7A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 17nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 770pF @ 40V、1000pF @ 20V