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XPH3R304PS,L1XHQ
XPH3R304PS,L1XHQ
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: 175°C
Vgs（最大）: +20V、-8V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 3W（Ta）、76W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 200µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 3.3ミリオーム @ 30A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 60A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 30 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 6V、10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1660 pF @ 10 V
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認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: 175°C
Vgs（最大）: +20V、-8V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 3W（Ta）、76W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 200µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 3.3ミリオーム @ 30A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 60A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 30 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 6V、10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1660 pF @ 10 V
