技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: ロジックレベルゲート、1.8V駆動
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.13W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 32ミリオーム @ 3A、4.5V、80ミリオーム @ 2A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4.6A（Ta）、3.1A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 14.4nC @ 4.5V、12.8nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 960pF @ 10V、1024pF @ 10V