技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: +25V、-10V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 155W（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4.5V @ 3mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 196ミリオーム @ 10A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 24A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 35 nC @ 20 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 736 pF @ 1000 V