技術: GaNFET（窒化ガリウム）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.75V @ 10mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 250ミリオーム @ 2A、6V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 750V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 9A（Tj）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1.9nC @ 6V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 53.5pF @ 400V