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WI62120
WI62120
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メーカー: Wise-Integration
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技術: GaNFET（窒化ガリウム）
構成: -
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 10mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 650V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 13A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 2.75nC @ 6V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 92.7pF @ 400V
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構成: -
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 10mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 650V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 13A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 2.75nC @ 6V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 92.7pF @ 400V
