技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.668kW（Tc）
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 15mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 5.3ミリオーム @ 300A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 423A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1025nC @ 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 19300pF @ 600V