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W66AQ6NBQAGJ TR
W66AQ6NBQAGJ TR
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技術: SDRAM - モバイルLPDDR4X
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~105°C(TC)
メモリ構成: 64M x 16
電圧 - 供給: 1.06V~1.17V、1.7V~1.95V
アクセス時間: 3.6 ns
メモリサイズ: 1Gビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 1.867 GHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: LVSTL_06
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 18ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~105°C(TC)
メモリ構成: 64M x 16
電圧 - 供給: 1.06V~1.17V、1.7V~1.95V
アクセス時間: 3.6 ns
メモリサイズ: 1Gビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 1.867 GHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: LVSTL_06
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 18ns
