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W29N01HWSINF TR
W29N01HWSINF TR
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技術: FLASH - NAND(SLC)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 64M x 16
電圧 - 供給: 1.7V~1.95V
アクセス時間: 22 ns
メモリサイズ: 1Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: ONFI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 25ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 64M x 16
電圧 - 供給: 1.7V~1.95V
アクセス時間: 22 ns
メモリサイズ: 1Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: ONFI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 25ns
