技術: FLASH - NAND、FLASH - NOR
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C～85°C（TA）
メモリ構成: 4M x 8 （FLASH-NOR）、128M x 8 （FLASH-NAND）
電圧 - 供給: 2.7V～3.6V
アクセス時間: 6 ns
メモリサイズ: 32Mビット（FLASH-NOR）、1Gビット（FLASH-NAND）
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 3ms