技術: パワーMOSFET
特長: ダイオードエミュレーション、ステータスフラグ
用途: 汎用
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C～125°C（TJ）
負荷タイプ: 誘導性
電圧 - 供給: 1.71V～1.98V
電圧 - 負荷: 8.5V～14V
Rds On（標準）: -
フォールト保護: 電流制限、過温度、短絡回路、UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
電流 - ピーク出力: 55A
電流 - 出力/チャンネル: -