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VSS8D2M15-M3/I
VSS8D2M15-M3/I
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メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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数量
技術: ショットキー
認定: -
速度: 高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）
グレード: -
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間（trr）: -
電流 - 平均整流（Io）: 1.8A
Vr、F印加時の静電容量: 150pF @ 4V、1MHz
動作温度 - ジャンクション: -40°C～175°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 150 µA @ 150 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 150 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 700 mV @ 1 A
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認定: -
速度: 高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）
グレード: -
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間（trr）: -
電流 - 平均整流（Io）: 1.8A
Vr、F印加時の静電容量: 150pF @ 4V、1MHz
動作温度 - ジャンクション: -40°C～175°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 150 µA @ 150 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 150 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 700 mV @ 1 A
