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VS-MPX075P120
VS-MPX075P120
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メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: 6 Nチャンネル（3相インバータ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 47.5W
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.8V @ 5mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 97.5ミリオーム @ 20A、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 22A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 56nC @ 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1489pF @ 1000V
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構成: 6 Nチャンネル（3相インバータ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 47.5W
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.8V @ 5mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 97.5ミリオーム @ 20A、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 22A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 56nC @ 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1489pF @ 1000V
