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VS-GT50TP60N
VS-GT50TP60N
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入力: 標準
構成: ハーフブリッジ
動作温度: 175°C(TJ)
IGBTタイプ: トレンチ
電力 - 最大: 208 W
NTCサーミスタ: なし
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.1V @ 15V、50A
入力静電容量(Cies) @ Vce: 3.03 nF @ 30 V
電流 - コレクタ遮断(最大): 1 mA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 85 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 600 V
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構成: ハーフブリッジ
動作温度: 175°C(TJ)
IGBTタイプ: トレンチ
電力 - 最大: 208 W
NTCサーミスタ: なし
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.1V @ 15V、50A
入力静電容量(Cies) @ Vce: 3.03 nF @ 30 V
電流 - コレクタ遮断(最大): 1 mA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 85 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 600 V