仕入ランク:A
1
/
の
1
VS-GB100TH120N
VS-GB100TH120N
価格はお問合せ
要確認
数量
入力: 標準
構成: ハーフブリッジ
動作温度: 150°C(TJ)
IGBTタイプ: -
電力 - 最大: 833 W
NTCサーミスタ: なし
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.35V @ 15V、100A
入力静電容量(Cies) @ Vce: 8.58 nF @ 25 V
電流 - コレクタ遮断(最大): 5 mA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 200 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 1200 V
詳細を表示する
構成: ハーフブリッジ
動作温度: 150°C(TJ)
IGBTタイプ: -
電力 - 最大: 833 W
NTCサーミスタ: なし
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.35V @ 15V、100A
入力静電容量(Cies) @ Vce: 8.58 nF @ 25 V
電流 - コレクタ遮断(最大): 5 mA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 200 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 1200 V
