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VS-EMG050J60N
VS-EMG050J60N
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入力: 標準
構成: ハーフブリッジ
動作温度: 150°C(TJ)
IGBTタイプ: -
電力 - 最大: 338 W
NTCサーミスタ: あり
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.1V @ 15V、50A
入力静電容量(Cies) @ Vce: 9.5 nF @ 30 V
電流 - コレクタ遮断(最大): 100 µA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 88 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 600 V
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構成: ハーフブリッジ
動作温度: 150°C(TJ)
IGBTタイプ: -
電力 - 最大: 338 W
NTCサーミスタ: あり
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.1V @ 15V、50A
入力静電容量(Cies) @ Vce: 9.5 nF @ 30 V
電流 - コレクタ遮断(最大): 100 µA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 88 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 600 V