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UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
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技術: LLDRAM
動作温度: 0°C~95°C(TC)
メモリ構成: 64M x 9
電圧 - 供給: 1.7V~1.9V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 576Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 400 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: HSTL
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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動作温度: 0°C~95°C(TC)
メモリ構成: 64M x 9
電圧 - 供給: 1.7V~1.9V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 576Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 400 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: HSTL
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
