ゲイン: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 130mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: 2 NPN（デュアル）
周波数 - トランジション: 6.5GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 1.9dB～2.5dB @ 2GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 100 @ 5mA、1V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 5.5V