ゲイン: 7.5dB
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 200mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: 2 NPN（デュアル）
周波数 - トランジション: 8GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 1.9dB @ 2GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 35mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 80 @ 5mA、3V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 10V