技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 150°C
Vgs（最大）: ±12V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 20W（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.5V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 4.3ミリオーム @ 13.5A、8V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 27A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 37 nC @ 4 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.5V、8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3610 pF @ 10 V