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UPA2792AGR-E1-AT
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メーカー: Renesas Electronics Corporation
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 2W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: -
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 12.5ミリオーム @ 5A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 10A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 42nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2200pF @ 10V
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構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 2W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: -
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 12.5ミリオーム @ 5A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 10A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 42nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2200pF @ 10V
