技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 7 Nチャネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～85°C
電力 - 最大: 1W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 150mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 5.3オーム @ 150mA、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 430mA（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 10pF