技術: フラッシュ - NAND
認定: -
グレード: -
動作温度: -25°C～85°C
メモリ構成: -
電圧 - 供給: 1.14～1.26V、1.2V、2.4～2.7V、2.5V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 2Tビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: UFS 3.1
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -