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TW070J120B,S1Q
TW070J120B,S1Q
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C
Vgs（最大）: ±25V、-10V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 272W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5.8V @ 20mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 90ミリオーム @ 18A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 36A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 67 nC @ 20 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1680 pF @ 800 V
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認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C
Vgs（最大）: ±25V、-10V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 272W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5.8V @ 20mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 90ミリオーム @ 18A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 36A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 67 nC @ 20 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1680 pF @ 800 V
