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TW015Z120C,S1F
TW015Z120C,S1F
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 175°C
Vgs（最大）: +25V、-10V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 431W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5V @ 11.7mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 21ミリオーム @ 50A、18V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 100A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 158 nC @ 18 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 18V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 6000 pF @ 800 V
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認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 175°C
Vgs（最大）: +25V、-10V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 431W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5V @ 11.7mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 21ミリオーム @ 50A、18V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 100A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 158 nC @ 18 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 18V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 6000 pF @ 800 V
