技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2Pチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.15W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 950mV @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 140ミリオーム @ 2.2A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2.2A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 15.23nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 882.51pF @ 6V