技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: ロジックレベルゲート、1.8V駆動
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 6.25W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 30ミリオーム @ 6.4A、4.5V、55ミリオーム @ 5A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 11.6A（Tc）、9A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 9.1nC @ 4.5V、9.8nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 677pF @ 10V、744pF @ 10V