仕入ランク:A
1
/
の
1
TPH3R704PL,L1Q
TPH3R704PL,L1Q
価格はお問合せ
要確認
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
データシート: データシートを表示
数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 175°C
Vgs（最大）: ±20V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 960mW（Ta）、81W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 200µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 3.7ミリオーム @ 46A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 92A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 27 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2500 pF @ 20 V
詳細を表示する
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 175°C
Vgs（最大）: ±20V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 960mW（Ta）、81W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 200µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 3.7ミリオーム @ 46A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 92A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 27 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2500 pF @ 20 V
