技術: GaNFET（窒化ガリウム）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 470W
取り付けタイプ: スルーホール
Id印加時のVgs（th）（最大）: -
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 34ミリオーム @ 30A、8V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 600V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 70A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 28nC @ 8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2260pF @ 100V