技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 450mW
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.3V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 50ミリオーム @ 2.5A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 11nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 625pF @ 10V