技術: GaNFET（窒化ガリウム）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C
Vgs（最大）: ±20V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 62.5W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 500µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 180ミリオーム @ 10A、6V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 14.2A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 5.5 nC @ 6 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 6V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 491 pF @ 400 V