技術: GaNFET（窒化ガリウム）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: ±20V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 156W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4.8V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 41ミリオーム @ 30A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 46.5A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 22 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1500 pF @ 400 V