技術: GaNFET（窒化ガリウム）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: ±20V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 266W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4.8V @ 2mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 18ミリオーム @ 60A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 93A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 100 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 5218 pF @ 400 V