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TK8R2A06PL,S4X
TK8R2A06PL,S4X
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 175°C（TJ）
Vgs（最大）: ±20V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 36W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 300µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 11.4ミリオーム @ 8A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 50A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 28.4 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1990 pF @ 25 V
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認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 175°C（TJ）
Vgs（最大）: ±20V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 36W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 300µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 11.4ミリオーム @ 8A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 50A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 28.4 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1990 pF @ 25 V
