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TJ40S04M3L,LXHQ
TJ40S04M3L,LXHQ
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Pチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: 175°C
Vgs（最大）: +10V、-20V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 68W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 9.1ミリオーム @ 20A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 40A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 83 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 6V、10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 4140 pF @ 10 V
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認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Pチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: 175°C
Vgs（最大）: +10V、-20V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 68W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 9.1ミリオーム @ 20A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 40A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 83 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 6V、10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 4140 pF @ 10 V
