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THGJFJT1E45BATP
THGJFJT1E45BATP
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メーカー: Kioxia America, Inc.
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技術: フラッシュ - NAND
グレード: -
動作温度: -25°C~85°C
メモリ構成: 256G x 8
電圧 - 供給: 2.4V~2.7V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 2Tビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 2.32 GHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: UFS 4.0
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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グレード: -
動作温度: -25°C~85°C
メモリ構成: 256G x 8
電圧 - 供給: 2.4V~2.7V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 2Tビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 2.32 GHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: UFS 4.0
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
