技術: フラッシュ - NAND
動作温度: -25°C～85°C（TC）
メモリ構成: 4G x 8
電圧 - 供給: 2.7V～3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 32Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: UFS
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -