認定: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 100 mW
抵抗 - RDS（On）: -
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン（Id） - 最大: 1 mA
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）: 200 mV @ 1 µA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3.5pF @ 2V
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）: 210 µA @ 2 V