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TF256TH-4-TL-H
TF256TH-4-TL-H
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メーカー: ONSEMI
数量
認定: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 100 mW
抵抗 - RDS（On）: -
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン（Id） - 最大: 1 mA
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）: 100 mV @ 1 µA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3.1pF @ 2V
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）: 140 µA @ 2 V
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FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 100 mW
抵抗 - RDS（On）: -
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン（Id） - 最大: 1 mA
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）: 100 mV @ 1 µA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3.1pF @ 2V
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）: 140 µA @ 2 V
