技術: パワーMOSFET
特長: ブートストラップ回路
用途: DC-DCコンバータ、電圧レギュレータ
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ（2）
動作温度: 0°C～125°C（TJ）
負荷タイプ: 誘導性
電圧 - 供給: 10.8V～13.2V
電圧 - 負荷: 6V～13.2V
Rds On（標準）: 1.9オームLS、1.75オームHS
フォールト保護: シュートスルー、過電圧
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: -