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TC7SZ00F,LJ(CT
TC7SZ00F,LJ(CT
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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数量
特長: -
認定: -
入力数: 2
回路数: 1
グレード: -
動作温度: -40°C～85°C
論理タイプ: NANDゲート
電圧 - 供給: 1.8V～5.5V
取り付けタイプ: 面実装
論理レベル - 低: -
論理レベル - 高: -
電流 - 出力高、低: 32mA、32mA
電流 - 静止（最大）: 2 µA
V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延: 4.3ns @ 5V、50pF
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認定: -
入力数: 2
回路数: 1
グレード: -
動作温度: -40°C～85°C
論理タイプ: NANDゲート
電圧 - 供給: 1.8V～5.5V
取り付けタイプ: 面実装
論理レベル - 低: -
論理レベル - 高: -
電流 - 出力高、低: 32mA、32mA
電流 - 静止（最大）: 2 µA
V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延: 4.3ns @ 5V、50pF
