技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 1mA、2.4V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 7オーム @ 1A、10V、8オーム @ 1A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 110pF @ 25V、200pF @ 25V