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TC58CYG2S0HRAIJ
TC58CYG2S0HRAIJ
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メーカー: Kioxia America, Inc.
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技術: FLASH - NAND(SLC)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C
メモリ構成: 512M x 8
電圧 - 供給: 1.7V~1.95V
アクセス時間: 300 µs
メモリサイズ: 4Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C
メモリ構成: 512M x 8
電圧 - 供給: 1.7V~1.95V
アクセス時間: 300 µs
メモリサイズ: 4Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
