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TB6593FNG(O,EL)
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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技術: パワーMOSFET
機能: ドライバ - 完全統合型、制御およびパワー段
用途: 汎用
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ（2）
動作温度: -20°C～85°C（TA）
電圧 - 供給: 2.7V～5.5V
電圧 - 負荷: 2.5V～13.5V
電流 - 出力: 1A
ステップ分解能: -
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
モータタイプ - AC、DC: ブラシ付きDC
モータタイプ - ステッピング: -
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機能: ドライバ - 完全統合型、制御およびパワー段
用途: 汎用
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ（2）
動作温度: -20°C～85°C（TA）
電圧 - 供給: 2.7V～5.5V
電圧 - 負荷: 2.5V～13.5V
電流 - 出力: 1A
ステップ分解能: -
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
モータタイプ - AC、DC: ブラシ付きDC
モータタイプ - ステッピング: -
