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STDRIVEG611Q
STDRIVEG611Q
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メーカー: STMicroelectronics
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C～125°C（TJ）
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 10.6V～18V
ゲートタイプ: GaN FET
取り付けタイプ: 面実装、濡れ性フランク
チャンネルタイプ: 独立
論理電圧 - VIL、VIH: 1.45V、2V
DigiKeyプログラマブル: -
立ち上がり/立ち下がり時間（標準）: 11ns、22ns
電流 - ピーク出力（ソース/シンク）: 1.05A、2.4A
ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）: 600 V
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グレード: -
動作温度: -40°C～125°C（TJ）
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 10.6V～18V
ゲートタイプ: GaN FET
取り付けタイプ: 面実装、濡れ性フランク
チャンネルタイプ: 独立
論理電圧 - VIL、VIH: 1.45V、2V
DigiKeyプログラマブル: -
立ち上がり/立ち下がり時間（標準）: 11ns、22ns
電流 - ピーク出力（ソース/シンク）: 1.05A、2.4A
ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）: 600 V
