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SST406 SOIC 8L-TB
SST406 SOIC 8L-TB
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メーカー: Linear Integrated Systems, Inc.
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数量
認定: -
FETタイプ: 2 Nチャンネル（デュアル）
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 300 mW
抵抗 - RDS（On）: -
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン（Id） - 最大: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 50 V
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）: 500 mV @ 1 nA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）: 50 V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 8pF @ 15V
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）: 500 µA @ 10 V
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FETタイプ: 2 Nチャンネル（デュアル）
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 300 mW
抵抗 - RDS（On）: -
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン（Id） - 最大: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 50 V
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）: 500 mV @ 1 nA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）: 50 V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 8pF @ 15V
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）: 500 µA @ 10 V
