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SSM6P816R,LF
SSM6P816R,LF
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2Pチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: ロジックレベルゲート、1.8V駆動
グレード: -
動作温度: 150°C
電力 - 最大: 1.4W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 30.1ミリオーム @ 4A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 6A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 16.6nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1030pF @ 10V
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構成: 2Pチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: ロジックレベルゲート、1.8V駆動
グレード: -
動作温度: 150°C
電力 - 最大: 1.4W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 30.1ミリオーム @ 4A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 6A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 16.6nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1030pF @ 10V
