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SSM6N813R,LF
SSM6N813R,LF
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: 175°C
電力 - 最大: 1.5W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 100µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 112ミリオーム @ 3.5A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3.5A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 3.6nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 242pF @ 15V
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構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: 175°C
電力 - 最大: 1.5W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 100µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 112ミリオーム @ 3.5A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3.5A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 3.6nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 242pF @ 15V
