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SSM6N7002KFU,LXH
SSM6N7002KFU,LXH
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: 150°C
電力 - 最大: 285mW（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 1.5オーム @ 100mA、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 300mA（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 0.6nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 40pF @ 10V
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構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: 150°C
電力 - 最大: 285mW（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 1.5オーム @ 100mA、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 300mA（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 0.6nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 40pF @ 10V
