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SSM6L820R,LXHF
SSM6L820R,LXHF
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: 150°C
電力 - 最大: 1.4W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 1mA、1.2V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 39.1ミリオーム @ 2A、4.5V、45ミリオーム @ 3.5A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V、20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 3.2nC @ 4.5V、6.7nC @4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 310pF @ 15V、480pF @ 10V
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構成: NおよびPチャンネル
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: 150°C
電力 - 最大: 1.4W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 1mA、1.2V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 39.1ミリオーム @ 2A、4.5V、45ミリオーム @ 3.5A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V、20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 3.2nC @ 4.5V、6.7nC @4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 310pF @ 15V、480pF @ 10V
